
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Configuration type
half-bridge
Housing type
SOT-227 (MPK-30)
Maximum permissible current
75 A
Maximum allowable voltage
1700 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستور سيليكوني إبيتاكسيال-بلاني N-P-N 2T368A/PK
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون N-P-N KT908A
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOS من النوع N عالي الجهد KP7154BS
عرض التفاصيل
مفاتيح الطاقة K3003KI014A
عرض التفاصيل
أوبتوكيوبلر ثايرستور خاص 3OU186B
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل N-قناة مدمج 2P526A9
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM600SSC12M
عرض التفاصيل
أوبتوكوبلر ثايرستور خاص 3OU186A
عرض التفاصيل
ترانزستورات تأثير المجال الخاصة عالية القدرة 2P7152A
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل عالي الجهد KP829A
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني من النوع P-Channel 2P527A9
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM200EA12M - التحكم الفعال في الطاقة
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية