
ترانزستور نبضي عالي التردد 2T606A لمولدات ومكبرات الصوت
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Collector-emitter reverse current
0.001 A
Emitter reverse current
0.0001 A
Collector junction capacitance
1.0E-11
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستور N-_CHANNEL MOSFET AnB3N120 لكفاءة عالية
عرض التفاصيل
الترانزستورات والديودات غير المحكمة AnR30IGB065D
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnM200HBB12M للاستخدام الصناعي
عرض التفاصيل
ترانزستورات NPN عالية القدرة للتطبيقات الخاصة 2T968A-5
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM450HBE065M
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل عالي الجهد KP829A
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnD1N70
عرض التفاصيل
ترانزستور التبديل N-P-N عالي الجهد كود KT8144A
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة An10N70S10
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني عالي الطاقة وعالي الجهد KP829B9
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM200EA12M - التحكم الفعال في الطاقة
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170A
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية