متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Gate-source voltage
0.2...2 V
Cut-off voltage
6 V
Gate leakage current
1.0E-12 A
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
ترانزستورات وديودات في حزمة غير محكمة AnS75IGB065D
عرض التفاصيل
ترانزستورات NPN عالية القدرة للتطبيقات الخاصة 2T968A-5
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاني 2T368A9/ПК
عرض التفاصيل
مصباح الموجة المتحركة "لوتوشنيك
عرض التفاصيل
ترانزستور N-_CHANNEL MOSFET AnB3N120 لكفاءة عالية
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOП P-القناة AnP53P03
عرض التفاصيل
ترانزستورات DMOP القوية من نوع N 2P7246A91
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnM200HBB12M للاستخدام الصناعي
عرض التفاصيل
ترانزستور ثنائي القطب 1НТ251 لأجهزة التبديل
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال بلانار p-n-p 2T3129B9/PK
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnS150FRD065 للتطبيقات الصناعية
عرض التفاصيل
ترانزستور قوي كريستالي Epitaxial-Planar n-p-n KT879A
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية