متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Maximum allowable DC drain-to-source voltage
250 V
Threshold voltage
2...4 V
Drain-to-source resistance in open state
0.45 ohm
Drain-to-source resistance in the open state of GS (microassemblies)
0.45 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
ترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829I9
عرض التفاصيل
ترانزستورات وقنوات سيليكون ذات جهد عالي 2P829G
عرض التفاصيل
وحدة IGBT للطاقة AnM200RCB065M
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل N-قناة مدمج 2P526A9
عرض التفاصيل
أوبتو كوبلر ترانزستوري خاص 3ОТ123Г ОСМ
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170B
عرض التفاصيل
ترانزستور LDMOS الخطي القوي KP9171BS
عرض التفاصيل
ترانزستورات ثنائية القطب عالية الجهد 2T8143F1
عرض التفاصيل
أوبتوكوبلر ترانزستوري للاستخدام الخاص 3OT123B9 OSH
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM150CD12M
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM450HBE12M للتحكم الفعال في الطاقة
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكوني إبيتاكسيال-بلاني N-P-N 2T368A/PK
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية