
ترانزستور LDMOS الخطي القوي KP9171BS لمضخمات الفئة AB
الشركة المصنعة:
NIIET OJSC
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Weight
18 year
Output power
180 W
Power gain
18.6
Effluent efficiency
SBVVBG %
Initial drain current, mA
10
Gate leakage current, mA
0.15
Increased operating temperature of the enclosure
125 °C
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاني KT3187B9
عرض التفاصيل
الترانزستورات والديودات غير المحكمة AnR30IGB065D
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني عالي الطاقة وعالي الجهد KP829Zh
عرض التفاصيل
ترانزستور MIK8205 N- قناة مزدوج
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM150CD12M
عرض التفاصيل
أوبتو كوبلر ترانزستور خاص 3OT127V
عرض التفاصيل
ترانزستور LDMOS الميكروي للعمل النبضي 2P9116B 1030-1090 ميغاهرتز
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM100RCA065M
عرض التفاصيل
ترانزستورات تأثير المجال الخاصة عالية القدرة 2P7152A
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM100AD17M - إدارة الطاقة الفعالة
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM400SC12M
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnD1N70
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية