
ترانزستورات NPN قوية للتبديل لأغراض خاصة - 2T856G
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النماذج المتاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Collector reverse current
0.003 A
Emitter reverse current
0.02 A
Static current transfer coefficient in the common emitter circuit
10-60
Boundary voltage
450 V
Collector-emitter saturation voltage
1.5 V
Base-emitter saturation voltage
2 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

أوبتوكوبلر ثايرستور خاص 3OU186A
عرض التفاصيل
ترانزستور منخفض الضوضاء AП379A9
عرض التفاصيل
ترانزستور التبديل القوي عالي الجهد N-P-N كود KT8143F
عرض التفاصيل
ترانزستور LDMOS الميكروي للعمل النبضي 2P9116B 1030-1090 ميغاهرتز
عرض التفاصيل
ترانزستورات تأثير المجال الخاصة عالية القدرة 2P7152A
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل عالي الجهد KP829A
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال بلانار p-n-p 2T3129B9/PK
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM200EA12M - التحكم الفعال في الطاقة
عرض التفاصيل
ترانزستور ثنائي القطب 1НТ251 لأجهزة التبديل
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnM200HBB12M للاستخدام الصناعي
عرض التفاصيل
ترانزستورات NPN القوية للاستخدام الخاص 2T908A-2
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170V
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية