متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Input voltage
2 V
Output residual voltage
0.3 V
Output leakage current
1.0E-5 A
Insulation resistance
1000000000000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
ترانزستور N-_CHANNEL MOSFET AnB3N120 لكفاءة عالية
عرض التفاصيل
مفاتيح الطاقة K3003KI014A
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOS من النوع N عالي الجهد KP7154BS
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnR40N20
عرض التفاصيل
أوبتوكوبلر ترانزستور خاص 3OT127A
عرض التفاصيل
الترانزستورات والديودات غير المحكمة AnR30IGB065D
عرض التفاصيل
ترانزستورات وموديولات DMOF القوية عالية الجهد 2P829G9
عرض التفاصيل
أوبتو كوبلر ترانزستور خاص 3OT127V
عرض التفاصيل
ترانزستور LDMOS الخطي القوي KP9171BS
عرض التفاصيل
ترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829I9
عرض التفاصيل
ترانزستور تحكم عالي الجهد من نوع N-P-N كريمي KT8190V
عرض التفاصيل
ترانزستور LDMOS الميكروي للعمل النبضي 2P9116B 1030-1090 ميغاهرتز
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية