
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Input voltage
2 V
Output residual voltage
0.3 V
Output leakage current
1.0E-5 A
Insulation resistance
1000000000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170B
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون N-P-N KT908A
عرض التفاصيل
ترانزستورات قوية ثنائية القطب عالية الجهد 2T8144VM1
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnR40N20
عرض التفاصيل
ترانزستور ثنائي القطب 1НТ251 لأجهزة التبديل
عرض التفاصيل
ترانزستور تحكم قوي عالى الجهد ن-ب-ن سيليكون KT8121B2
عرض التفاصيل
مصباح الموجة المتحركة "لوتوشنيك
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnD1N70
عرض التفاصيل
مفاتيح الطاقة K3003KI014A
عرض التفاصيل
ترانزستور NPN قوي 2T808A للاستخدامات الخاصة
عرض التفاصيل
أوبتوكوبلر ترانزستوري AOT123A مع طلاء ذهبي محلي
عرض التفاصيل
ترانزستورات نبضية عالية التردد للتطبيقات الخاصة 2T603B/IU
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية