
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Input voltage
1.6 V
Output residual voltage
1.5 V
Output leakage current
1.0E-5 A
Insulation resistance
1000000000000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستور LDMOS الميكروي للعمل النبضي 2P9116B 1030-1090 ميغاهرتز
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170D
عرض التفاصيل
موصل بصري ترانزستوري خاص 3OT123A9 OSM
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل N-قناة مدمج 2P526A9
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnR40N20
عرض التفاصيل
ترانزستور نبضي عالي التردد 2T606A للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيل
ترانزستورات حقل تردد عالي للاستخدامات الخاصة 2P301B/IU
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون 2T117V OSH للأجهزة الإلكترونية
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOS N-قناة عالي الجهد KP7154BS
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني عالي الطاقة وعالي الجهد KP829B9
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة An10N70S10
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170B
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية