
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النماذج المتاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Maximum allowable voltage
1200 V
Maximum permissible current
300 A
Housing type
mpk-62
Configuration type
half-bridge
Designation
26.11.21.120
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170B
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM450HBE065M
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnS140N06
عرض التفاصيل
أوبتو كوبلر ترانزستور خاص 3OT127V
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون N-P-N KT908A
عرض التفاصيل
موصل بصري ترانزستوري خاص 3OT123A9 OSM
عرض التفاصيل
ترانزستورات وديودات في حزمة غير محكمة AnS75IGB065D
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني عالي الطاقة وعالي الجهد KP829B9
عرض التفاصيل
أوبتوكوبلر ترانزستوري AOT123A مع طلاء ذهبي محلي
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة An10N70S10
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاني 2T368A9/ПК
عرض التفاصيل
ترانزستور تحكم قوي عالى الجهد ن-ب-ن سيليكون KT8121B2
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية