
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Housing type
TO-263 (KT-90)
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
-30 V
Maximum permissible current
-32 A
Drain-to-source resistance in open state
0.04 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستور DMOS RF مستمر - 2P979B، 230MHz
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاناري ك ت6131أ
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني عالي الطاقة وعالي الجهد KP829Zh
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM450HBE065M
عرض التفاصيل
ترانزستورات نبضية عالية التردد للتطبيقات الخاصة 2T603B/IU
عرض التفاصيل
ترانزستور NPN قوي 2T867A للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيل
أوبتوكوبلر ترانزستوري للاستخدام الخاص 3OT123B9 OSH
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM100AD17M - إدارة الطاقة الفعالة
عرض التفاصيل
وحدة القوة MTKI-2000-25 للاستخدامات الصناعية
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170B
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM100RCA065M
عرض التفاصيل
ترانزستور التبديل القوي عالي الجهد N-P-N كود KT8143F
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية