متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
ش.م مصنع إسكرا
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النماذج المتاحة
Silicon Planar Transistor 2T117V OSH for Electronic Devices
High-frequency special purpose pulse transistors 2T603B/IU OSM
High-frequency pulse transistors of special purpose 2T608A/IU
High-frequency special-purpose field-effect transistors 2P305A/IU
High-frequency special-purpose field-effect transistors 2P305B/IU
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Cut-off voltage
6 V
Gate leakage current
1.0E-9 A
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
الترانزستورات والديودات غير المحكمة AnR30IGB065D
عرض التفاصيلترانزستورات نبضية عالية التردد للتطبيقات الخاصة 2T603B/IU
عرض التفاصيلترانزستور سيليكون إبيتاكسيال بلانار p-n-p 2T3129B9/PK
عرض التفاصيلترانزستور سيليكون NPN عالي الجهد KT8155G
عرض التفاصيلترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170G
عرض التفاصيلوحدة IGBT للطاقة AnM75LCA12M
عرض التفاصيلترانزستور MOSFET N-قناة AnB12N20
عرض التفاصيلترانزستور سيليكون 2T117V OSH للأجهزة الإلكترونية
عرض التفاصيلترانزستور MOSFET N-قناة AnR40N20
عرض التفاصيلترانزستور سيليكون P-N-P كيه تي 234 ف 9
عرض التفاصيلترانزستورات وقنوات سيليكون ذات جهد عالي 2P829G
عرض التفاصيلترانزستور سيليكوني إبيتاكسيال-بلاني N-P-N 2T368A/PK
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية