متاح للاستيراد
ترانزستورات وموديلات دMOOS السيليكون القوية ذات الجهد العالي 2P829B لحلول الطاقة المتقدمة
الشركة المصنعة:
ش.م مصنع إسكرا
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Initial drain current
0.001 A
Gate leakage current
1.0E-7 A
Drain-to-source resistance in open state
1 ohm
Threshold voltage
2...4 V
Switch-on delay time
60
Rise time
Built-in memory card slot, support microSD/SDHC/SDXC card (up to 256GB); manual recording/alarm recording
Shutdown delay time
175
Decline time
40
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
ترانزستور ثنائي القطب عالي الجهد 2T8143U
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOS N-قناة عالي الجهد KP7154BS
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM100AD17M - إدارة الطاقة الفعالة
عرض التفاصيل
ترانزستور تحكم عالي الجهد من نوع N-P-N كريمي KT8190V
عرض التفاصيل
ترانزستور NPN قوي 2T808A-2 للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة An10N70S10
عرض التفاصيل
ترانزستور LDMOS الميكروي للعمل النبضي 2P9116B 1030-1090 ميغاهرتز
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM450HBE065M
عرض التفاصيل
ترانزستورات DMOP القوية من نوع N 2P7246A91
عرض التفاصيل
ترانزستور ثنائي القطب 1НТ251 لأجهزة التبديل
عرض التفاصيل
ترانزستور ثنائي القطب كيه تي 665 أ9 للتثبيت السطحي
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOП P-القناة AnP53P03
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية