متاح للاستيراد
الوحدة القوة AnM100HBA12M لتطبيقات عالية الكفاءة
الشركة المصنعة:
ش.م أنغستروم
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Designation
26.11.21.120
Maximum allowable voltage
1200 V
Maximum permissible current
100 A
Maximum power dissipation
540 W
Housing type
mpk-34
Configuration type
half-bridge
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاناري ك ت6131أ
عرض التفاصيل
ترانزستور NPN قوي 2T808A للاستخدامات الخاصة
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني عالي الطاقة وعالي الجهد KP829B9
عرض التفاصيل
مصباح الموجة المتحركة "لوتوشنيك
عرض التفاصيل
وحدة IGBT للطاقة AnM75LCA12M
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOS RF مستمر - 2P979B، 230MHz
عرض التفاصيل
أوبتو كوبلر ترانزستوري خاص 3ОТ123Г ОСМ
عرض التفاصيل
ترانزستور قوي كريستالي Epitaxial-Planar n-p-n KT879A
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل عالي الجهد KP829D
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnB12N20
عرض التفاصيل
أوبتوكوبلر ترانزستوري AOT110B مع دبابيس مطلية بالذهب محليًا
عرض التفاصيل
ترانزستور MIK8205 N- قناة مزدوج
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية