
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النماذج المتاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Collector reverse current
0.003 A
Emitter reverse current
0.02 A
Static current transfer coefficient in the common emitter circuit
10-60
Boundary voltage
400 V
Collector-emitter saturation voltage
1.5 V
Base-emitter saturation voltage
2 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

مصباح الموجة المتحركة "لوتوشنيك
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاني KT3187B9
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnM200HBB12M للاستخدام الصناعي
عرض التفاصيل
ترانزستورات تأثير المجال الخاصة عالية القدرة 2P7152A
عرض التفاصيل
ترانزستور NPN قوي 2T808A للاستخدامات الخاصة
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170A
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة An10N70S10
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي على أساس نيتريد الغاليوم PP9138B
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM400SC12M
عرض التفاصيل
ترانزستورات DMOS عالية القوة 2P7246A-5
عرض التفاصيل
ترانزستور تحكم عالي الجهد من نوع N-P-N كريمي KT8190V
عرض التفاصيل
ترانزستورات NPN القوية للاستخدام الخاص 2T908A-2
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية