
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Case
KT-46
Weight
0.1 year
Maximum permissible DC collector-to-base voltage
18 V
Maximum permissible constant power dissipation of the collector at temperatures from -45 to +60 °C
Flat grinder, Specialised grinder
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستور MOSFET N-قناة AnB12N20
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnS140N06
عرض التفاصيل
ترانزستور LDMOS خطي قوي KP9171A
عرض التفاصيل
ترانزستورات وموديلات دMOOS القوية من السيليكون ذات الجهد العالي 2P829B
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOS RF مستمر - 2P979B، 230MHz
عرض التفاصيل
ترانزستورات نبضية عالية التردد للتطبيقات الخاصة 2T603B/IU
عرض التفاصيل
أوبتوكوبلر ترانزستوري للاستخدام الخاص 3OT123B9 OSH
عرض التفاصيل
ترانزستورات DMOP القوية من نوع N 2P7246A91
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل عالي الجهد KP829A
عرض التفاصيل
ترانزستورات حقل تردد عالي للاستخدامات الخاصة 2P301B/IU
عرض التفاصيل
ترانزستور نبضي عالي التردد 2T606A للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون P-N-P كيه تي 234 ف 9
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية