
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Housing type
TO-263 (KT-90)
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
700 V
Maximum permissible current
5 A
Drain-to-source resistance in open state
1.8 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستورات نبضية عالية التردد للتطبيقات الخاصة 2T603B/IU
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnR40N20
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال بلانار p-n-p 2T3129B9/PK
عرض التفاصيل
ترانزستور ثنائي القطب كيه تي 665 أ9 للتثبيت السطحي
عرض التفاصيل
وحدة IGBT عالية القدرة AnM150HBEВ12M
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي من نيتريد الغاليوم PP9138A
عرض التفاصيل
ترانزستور ثنائي القطب 1НТ251 لأجهزة التبديل
عرض التفاصيل
الترانزستورات والموديلات القوية من نوع DMOS عالية الجهد 2P829A
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل عالي الجهد KP829D
عرض التفاصيل
ترانزستورات NPN القوية للاستخدام الخاص 2T908A-2
عرض التفاصيل
الترانزستورات والديودات غير المحكمة AnR30IGB065D
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني عالي الطاقة وعالي الجهد KP829Zh
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية