
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Housing type
TO-251 (KT-92)
Type of acceptance
QA
Maximum allowable voltage
200 V
Maximum permissible current
9 A
Drain-to-source resistance in open state
0.32 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستور N-_CHANNEL MOSFET AnB3N120 لكفاءة عالية
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي من نيتريد الغاليوم طراز PP9137A
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9139B1
عرض التفاصيل
ترانزستور ثنائي القطب كيه تي 665 أ9 للتثبيت السطحي
عرض التفاصيل
ترانزستور نبضي عالي التردد 2T606A للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني عالي الطاقة وعالي الجهد KP829B9
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون P-N-P كيه تي 234 ف 9
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني عالي الطاقة وعالي الجهد KP829Zh
عرض التفاصيل
الوحدة القوة AnM100HBA12M - أداء عالي الكفاءة
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي من نيتريد الغاليوم PP9139A1
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاناري ك ت6131أ
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM150CD12M
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية