
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Collector-emitter boundary voltage
120 V
Collector-emitter saturation voltage
0.8 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829I9
عرض التفاصيل
ترانزستور تحكم عالي الجهد من نوع N-P-N كريمي KT8190V
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي على أساس نيتريد الغاليوم PP9138B
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnS140N06
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي مبني على نيتريد الغاليوم PP9170E
عرض التفاصيل
ترانزستور منخفض الضوضاء AП379A9
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM150CD12M
عرض التفاصيل
ترانزستور MIK8205 N- قناة مزدوج
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9139B1
عرض التفاصيل
ترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829B9
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل N-قناة مدمج 2P526A9
عرض التفاصيل
ترانزستورات نبضية عالية التردد للتطبيقات الخاصة 2T603B/IU
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية