
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Collector-emitter boundary voltage
240 V
Collector-emitter saturation voltage
0.8 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستورات حقل تردد عالي للاستخدامات الخاصة 2P301B/IU
عرض التفاصيل
وحدة IGBT للطاقة AnM75LCA12M
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-channel AnU12N10L
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي من نيتريد الغاليوم طراز PP9137A
عرض التفاصيل
ترانزستورات ثنائية القطب عالية الجهد 2T8144BM1
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOS من النوع N عالي الجهد KP7154BS
عرض التفاصيل
موصل بصري ترانزستوري خاص 3OT123A9 OSM
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnR40N20
عرض التفاصيل
ترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829I9
عرض التفاصيل
ترانزستور NPN قوي 2T867A للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9139B1
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي على أساس نيتريد الغاليوم PP9138B
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية