متاح للاستيراد
ترانزستورات حقل تردد عالي للاستخدامات الخاصة 2P301B/IU
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Steepness of characteristic
1 mA/V
Initial drain current
5.0E-7 A
Threshold current
0.0005 A
Gate leakage current
3.0E-10 A
Noise figure
5
Threshold voltage
2.7 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
ترانزستورات وموديلات دMOOS القوية من السيليكون ذات الجهد العالي 2P829B
عرض التفاصيل
ترانزستورات ثنائية القطب عالية الجهد 2T8143F1
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170V
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM600SSC12M
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون 2T117V OSH للأجهزة الإلكترونية
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي مبني على نيتريد الغاليوم PP9170E
عرض التفاصيل
ترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829B9
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاني 2T368A9/ПК
عرض التفاصيل
ترانزستور NPN قوي 2T867A للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيل
ترانزستور تحكم عالي الجهد من نوع N-P-N كريمي KT8190V
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي من نيتريد الغاليوم PP9139A1
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOП P-القناة AnP53P03
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية