
الشركة المصنعة:
NIIET OJSC
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النماذج المتاحة
Continuous Mode DMOS RF Transistor P - 2P979B, 230MHz
Transistor LDMOS Field Effect Transistor LDMOS Microwave Continuous Mode Transistor P
Transistor Field Effect LDMOS Microwave Transistor (linear) P
Transistor Bipolar microwave transistor continuous mode transistor P
Transistor Field Effect DMOS Microwave Continuous Mode Transistor P
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Name
LDMOS field-effect L-band continuous mode microwave transistor
Designation
2P986B
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستور NPN قوي 2T808A-2 للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيل
ترانزستورات NPN القوية للاستخدام الخاص 2T908A-2
عرض التفاصيل
ترانزستور نبضي عالي التردد 2T606A للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnD1N70
عرض التفاصيل
ترانزستور ثنائي القطب 1НТ251 لأجهزة التبديل
عرض التفاصيل
ترانزستورات وقنوات سيليكون ذات جهد عالي 2P829G
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170B
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-قناة AnR40N20
عرض التفاصيل
ترانزستورات ثنائية القطب عالية الجهد 2T8143F1
عرض التفاصيل
ترانزستور منخفض الضوضاء AП379A9
عرض التفاصيل
ترانزستور تحكم قوي عالى الجهد ن-ب-ن سيليكون KT8121B2
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM600SSC12M
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية