
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Base-emitter saturation voltage
2.3 V
Collector-emitter saturation voltage
1.5 V
Emitter reverse current
0.05 A
Collector-emitter reverse current
0.003 A
Static current transfer coefficient in the common emitter circuit
15-100
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستور ميكروويف قوي مبني على نيتريد الغاليوم PP9170E
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM450HBE12M للتحكم الفعال في الطاقة
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون NPN عالي الجهد KT8155G
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnM200SSP25M للاستخدام الصناعي
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnS150FRD065 للتطبيقات الصناعية
عرض التفاصيل
ترانزستورات حقل تردد عالي للاستخدامات الخاصة 2P301B/IU
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي على أساس نيتريد الغاليوم PP9138B
عرض التفاصيل
أوبتوكوبلر ترانزستوري للاستخدام الخاص 3OT123B9 OSH
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل عالي الجهد KP829A9
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9170D
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM450HBE065M
عرض التفاصيل
ترانزستور NPN قوي 2T808A-2 للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية