
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النماذج المتاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Input voltage
2 V
Output residual voltage
1.5 V
Output leakage current
0.0001 A
Insulation resistance
1000000000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

ترانزستور MOSFET N-channel AnU12N10L
عرض التفاصيل
ترانزستور LDMOS الميكروي للعمل النبضي 2P9116B 1030-1090 ميغاهرتز
عرض التفاصيل
ترانزستور ثنائي القطب كيه تي 665 أ9 للتثبيت السطحي
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnDM100AD17M - إدارة الطاقة الفعالة
عرض التفاصيل
مفاتيح الطاقة K3003KI014A
عرض التفاصيل
ترانزستورات ثنائية القطب عالية الجهد 2T8143F1
عرض التفاصيل
ترانزستورات NPN عالية القدرة للتطبيقات الخاصة 2T968A-5
عرض التفاصيل
وحدة IGBT عالية القدرة AnM150HBEВ12M
عرض التفاصيل
ترانزستورات ميكروويف عالية القدرة من نيتريد الغاليوم PП9136A
عرض التفاصيل
ترانزستور N-_CHANNEL MOSFET AnB3N120 لكفاءة عالية
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل عالي الجهد قوي KP829B
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM600SSC12M
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية