
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النماذج المتاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Input voltage
2 V
Output residual voltage
1.5 V
Output leakage current
0.0001 A
Insulation resistance
1000000000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

مصباح الموجة المتحركة "لوتوشنيك
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي على أساس نيتريد الغاليوم PP9138B
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل عالي الجهد KP829D
عرض التفاصيل
أوبتو كوبلر ترانزستوري خاص 3ОТ123Г ОСМ
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون 2T117V OSH للأجهزة الإلكترونية
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM100RCA065M
عرض التفاصيل
وحدة IGBT القوية AnM450HBE12M للتحكم الفعال في الطاقة
عرض التفاصيل
وحدة IGBT عالية القدرة AnM150HBEВ12M
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاني KT3187B9
عرض التفاصيل
ترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829I9
عرض التفاصيل
ترانزستورات وقنوات السيليكون عالية الجهد 2P829J
عرض التفاصيل
ترانزستور N-_CHANNEL MOSFET AnB3N120 لكفاءة عالية
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية