
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Input voltage
1.6 V
Output residual voltage
1.5 V
Output leakage current
1.0E-5 A
Insulation resistance
1000000000000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك

مصباح الموجة المتحركة "لوتوشنيك
عرض التفاصيل
ترانزستور MOSFET N-channel AnU12N10L
عرض التفاصيل
مفاتيح الطاقة K1376KI014 - مفاتيح عالية الأداء
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكوني إبيتاكسيال-بلاني N-P-N 2T368A/PK
عرض التفاصيل
وحدة الطاقة AnM200SSP25M للاستخدام الصناعي
عرض التفاصيل
ترانزستورات NPN قوية للتبديل لأغراض خاصة 2T856G
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاني KT3187B9
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOП P-القناة AnP53P03
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون NPN عالي الجهد KT8155G
عرض التفاصيل
ترانزستور منخفض الضوضاء AП379A9
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل عالي الجهد قوي KP829B
عرض التفاصيل
ترانزستور حقل عالي الجهد KP829D
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية