متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
null
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
النماذج المتاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Emitter junction leakage current
1.0E-6 A
Transmission coefficient
0.5-0.7
Switching current
2.0E-5 A
Off current
0.001 A
Residual stress
5 V
Inter-basic resistance
6000...9000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
ترانزستور حقل عالي الجهد قوي KP829B
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني عالي الطاقة وعالي الجهد KP829B9
عرض التفاصيل
أوبتوكوبلر ثايرستور خاص 3OU186A
عرض التفاصيل
وحدة IGBT عالية القدرة AnM150HBEВ12M
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون P-N-P كيه تي 234 ف 9
عرض التفاصيل
الترانزستورات والديودات غير المحكمة AnR30IGB065D
عرض التفاصيل
ترانزستورات ميكروويف عالية القدرة من نيتريد الغاليوم PП9136A
عرض التفاصيل
ترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829B9
عرض التفاصيل
ترانزستورات DMOP القوية من نوع N 2P7246A91
عرض التفاصيل
مصباح الموجة المتحركة "لوتوشنيك
عرض التفاصيل
ترانزستور N-_CHANNEL MOSFET AnB3N120 لكفاءة عالية
عرض التفاصيل
الوحدة القوة AnM100HBA12M - أداء عالي الكفاءة
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية